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Category |
晶体管双极Bjt阵列 |
Manufacturer |
Renesas Electronics America Inc |
Series |
- |
Package |
Tube |
RoHS |
RoHs |
Part Status |
Obsolete |
Power - Max |
500mW |
Mounting Type |
Through Hole |
Package / Case |
16-DIP (0.300", 7.62mm) |
Transistor Type |
5 NPN |
Operating Temperature |
150°C (TJ) |
Frequency - Transition |
450MHz |
Supplier Device Package |
16-PDIP |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic |
700mV @ 5mA, 50mA |
Current - Collector (Ic) (Max) |
100mA |
Current - Collector Cutoff (Max) |
10µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce |
40 @ 50mA, 3V |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) |
15V |
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