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OMIDA
BSG0810NDIATMA1
所示图像仅为示意图。应从产品数据表中获得准确的规格。

BSG0810NDIATMA1

  • 零件号: BSG0810NDIATMA1
  • 制造商: Infineon Technologies
  • 库存: 3000
  • 描述: MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON
  • 发货日期: 2024/11/16
  • 规格书: BSG0810NDIATMA1
  • 类别:晶体管Fets Mosfets阵列
  • 订货交付时间:请联系我们的销售员:quendy@omida.net
Category
晶体管Fets Mosfets阵列
Manufacturer
Infineon Technologies
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Digi-Reel®
RoHS
RoHs
FET Type
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET Feature
Logic Level Gate, 4.5V Drive
Part Status
Active
Power - Max
2.5W
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Operating Temperature
-55°C ~ 155°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package
PG-TISON-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
8.4nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)
25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1040pF @ 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
19A, 39A

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