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Category |
晶体管Fets Mosfets阵列 |
Manufacturer |
Infineon Technologies |
Series |
CoolSiC™+ |
Package |
Tray |
RoHS |
RoHs |
FET Type |
2 N-Channel (Dual) |
FET Feature |
Silicon Carbide (SiC) |
Part Status |
Active |
Power - Max |
20mW |
Mounting Type |
Chassis Mount |
Package / Case |
Module |
Vgs(th) (Max) @ Id |
5.55V @ 20mA |
Operating Temperature |
-40°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs |
23mOhm @ 50A, 15V |
Supplier Device Package |
Module |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs |
125nC @ 15V |
Drain to Source Voltage (Vdss) |
1200V (1.2kV) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds |
3950pF @ 800V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C |
50A |
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